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メーカ: ROHM Semiconductor製品カテゴリー: MOSFETRoHS: 詳細技術: Si取り付け様式: SMD/SMTパッケージ/ケース: SOT-323-3トランジスタ極性: P-Channelチャンネル数: 1 ChannelVds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 20 VId - 連続ドレイン電流: 200 mARds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 1.2 OhmsVgs - ゲート-ソース間電圧: - 10 V, + 10 VVgs th - ゲート・ソース間しきい電圧: 300 mVQg - ゲート電荷: 1.4 nC最低動作温度: - 55 C最高動作温度: + 150 CPd - 電力損失: 150 mWチャネルモード: Enhancementパッケージ化: Cut Tapeパッケージ化: Reel構成: Single高さ: 0.9 mm長さ: 2 mm製品: MOSFETシリーズ: RU1C002ZPトランジスタ タイプ: 1 P-Channel MOSFETタイプ: Power MOSFET幅: 1.25 mmブランド: ROHM Semiconductor下降時間: 17 ns製品タイプ: MOSFET上昇時間: 4 ns工場パックの数量: 3000サブカテゴリ: MOSFETs標準電源切断遅延時間: 17 nsターンオン時の標準遅延時間: 6 ns別の部品番号: RU1C002ZP
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